FDG6321C vs FDG6302P

Это подробное сравнение FDG6321C и FDG6302P предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FDG6321C

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
12407 ПКС
Package
SC-88
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
+БОМ RFQ
Part B

FDG6302P

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
5604 ПКС
Package
SC-88
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification FDG6321C FDG6302P
Supplier onsemi onsemi
Part Status Active Obsolete
FET Type N and P-Channel 2 P-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V 25V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 500mA, 410mA 140mA
Rds On(Max) @ Id Vgs 450mOhm @ 500mA, 4.5V 10Ohm @ 140mA, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 2.3nC @ 4.5V 0.31nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 50pF @ 10V 12pF @ 10V
Power - Max 300mW 300mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Compare RFQ