FDMA1032CZ vs FDMA1027PT Сравнение

Это подробное сравнение FDMA1032CZ и FDMA1027PT предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
FDMA1032CZ

+БОМ

7396 ПКС | Онсеми
FDMA1027PT

+БОМ

6478 ПКС | Онсеми
Пакет VDFN-6
Описание MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 6MICROFET MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET
Supplier - onsemi
Series PowerTrench® PowerTrench®
Part Status Active Obsolete
FET Type - 2 P-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V 20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 3A
Rds On(Max) @ Id Vgs - 120mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id - 1.3V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 6nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 435pF @ 10V
Power - Max 700mW 700mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Base Product Number FDMA1032 -
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Configuration N and P-Channel -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.7A, 3.1A -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 68mOhm @ 3.7A, 4.5V -
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 340pF @ 10V -
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
Модель сравнения : FDMA1032CZ FDMA1027PT

+БОМ RFQ