FDMS8018 vs FDMS86101 Сравнение
Это подробное сравнение FDMS8018 и FDMS86101 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Пакет
TDFN-8
Описание
MOSFET N-CH 30V 30A/120A 8PQFN
MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN
Series
PowerTrench®
PowerTrench®
Part Status
Active
Active
FET Type
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
100 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
-
12.4A (Ta), 60A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
-
6V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs
-
8mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
-
4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
-
55 nC @ 10 V
Vgs(Max)
-
±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
-
3000 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 83W (Tc)
2.5W (Ta), 104W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Base Product Number
FDMS80
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
30A (Ta), 120A (Tc)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.8mOhm @ 30A, 10V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
61 nC @ 10 V
-
Vgs (Max)
±20V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5235 pF @ 15 V
-
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-
