FDMS86150 vs FDMS8050ET30

Это подробное сравнение FDMS86150 и FDMS8050ET30 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FDMS86150

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 4382 ПКС
Package: TDFN-8
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

+БОМ RFQ

Part B

FDMS8050ET30

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 4401 ПКС
Package: TDFN-8
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	FDMS86150	FDMS8050ET30
Series	PowerTrench®	PowerTrench®
Part Status	Active	Not For New Designs
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V	30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	16A (Ta), 60A (Tc)	55A (Ta), 423A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	6V, 10V	4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	4.85mOhm @ 16A, 10V	0.65mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	4V @ 250µA	3V @ 750µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	62 nC @ 10 V	285 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±20V	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	4065 pF @ 50 V	22610 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max)	2.7W (Ta), 156W (Tc)	3.3W (Ta), 180W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare RFQ