FDMS86163P vs FDMS8018
Это подробное сравнение FDMS8018 и FDMS86163P предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Пакет
PowerTDFN-8
Описание
MOSFET N-CH 30V 30A/120A 8PQFN
MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN
Series
PowerTrench®
PowerTrench®
Part Status
Active
-
Base Product Number
FDMS80
-
FET Type
N-Channel
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
30A (Ta), 120A (Tc)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.8mOhm @ 30A, 10V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
61 nC @ 10 V
-
Vgs (Max)
±20V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5235 pF @ 15 V
-
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 83W (Tc)
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Mounting Type
Surface Mount
-
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-
ProductStatus
-
Active
FETType
-
P-Channel
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
7.9A (Ta), 50A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
-
6V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs
-
22mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
-
4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
59 nC @ 10 V
Vgs(Max)
-
±25V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
4085 pF @ 50 V
PowerDissipation(Max)
-
2.5W (Ta), 104W (Tc)
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
