FDS6912A vs FDS6982S

Это подробное сравнение FDS6912A и FDS6982S предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
FDS6912A

+БОМ

2230 ПКС | Онсеми
FDS6982S

+БОМ

3214 ПКС | Онсеми
Пакет SOIC-8
Описание MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC
Series PowerTrench® PowerTrench®, SyncFET™
Part Status - Obsolete
Technology - MOSFET (Metal Oxide)
Configuration - 2 N-Channel (Dual)
FET Feature - Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) - 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C - 6.3A, 8.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs - 28mOhm @ 6.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id - 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - 12nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds - 2040pF @ 10V
Power - Max - 900mW
Operating Temperature - -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type - Surface Mount
Base Product Number - FDS69
ProductStatus Active -
FETType 2 N-Channel (Dual) -
FETFeature Logic Level Gate -
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30V -
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 6A -
RdsOn(Max)@IdVgs 28mOhm @ 6A, 10V -
Vgs(th)(Max)@Id 3V @ 250µA -
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 8.1nC @ 5V -
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 575pF @ 15V -
Power-Max 900mW -
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
MountingType Surface Mount -
Модель сравнения : FDS6912A FDS6982S

+БОМ RFQ