FDS6990A vs FDS6990AS
Это подробное сравнение FDS6990AS и FDS6990A предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Пакет
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Описание
MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
Series
PowerTrench®, SyncFET™
PowerTrench®
Part Status
Obsolete
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
-
Configuration
2 N-Channel (Dual)
-
FET Feature
Logic Level Gate
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
7.5A
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
22mOhm @ 7.5A, 10V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 5V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
550pF @ 15V
-
Power - Max
900mW
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Mounting Type
Surface Mount
-
Base Product Number
FDS6990
-
Supplier
-
onsemi
ProductStatus
-
Obsolete
FETType
-
2 N-Channel (Dual)
FETFeature
-
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
7.5A
RdsOn(Max)@IdVgs
-
18mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
-
3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
17nC @ 5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
1235pF @ 15V
Power-Max
-
900mW
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
