FDV304P vs FDV302P
Это подробное сравнение FDV302P и FDV304P предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Пакет
SOT23-3
Описание
MOSFET P-CH 25V 120MA SOT23
MOSFET P-CH 25V 460MA SOT23
Part Status
Obsolete
-
Base Product Number
FDV30
-
FET Type
P-Channel
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
120mA (Ta)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.7V, 4.5V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10Ohm @ 200mA, 4.5V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.31 nC @ 4.5 V
-
Vgs (Max)
-8V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
11 pF @ 10 V
-
Power Dissipation (Max)
350mW (Ta)
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Mounting Type
Surface Mount
-
Packaging
Tape & Reel (TR)
-
ProductStatus
-
Active
FETType
-
P-Channel
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
25 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
460mA (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
-
2.7V, 4.5V
RdsOn(Max)@IdVgs
-
1.1Ohm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id
-
1.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
1.5 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
-
±8V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
63 pF @ 10 V
PowerDissipation(Max)
-
350mW (Ta)
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
