FDY302NZ vs FDY3000NZ

Это подробное сравнение FDY302NZ и FDY3000NZ предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FDY302NZ

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 2866 ПКС
Package: SOT-523-3
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

+БОМ RFQ

Part B

FDY3000NZ

Компания Fairchild Semiconductor

Lifecycle: Active
Stock: 6144 ПКС
Package: SOT-563
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	FDY302NZ	FDY3000NZ
Series	PowerTrench®	PowerTrench®
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	2 N-Channel (Dual)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	-
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V	20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	600mA (Ta)	600mA
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	1.8V, 4.5V	-
Rds On(Max) @ Id Vgs	300mOhm @ 600mA, 4.5V	700mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id	1.5V @ 250µA	1.3V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	1.1 nC @ 4.5 V	1.1nC @ 4.5V
Vgs(Max)	±12V	-
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	60 pF @ 10 V	60pF @ 10V
Power Dissipation (Max)	625mW (Ta)	-
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
FET Feature	-	Logic Level Gate
Power - Max	-	446mW

Compare RFQ