FGH40N60SFDTU vs FGH40T65UPD

Это подробное сравнение FGH40N60SFDTU и FGH40T65UPD предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FGH40N60SFDTU

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 3269 ПКС
Package: TO-247-3
Series: Транзисторы - ИГБТ - Single

+БОМ RFQ

Part B

FGH40T65UPD

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 7600 ПКС
Package: TO-247-3
Series: Транзисторы - ИГБТ - Single

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	FGH40N60SFDTU	FGH40T65UPD
Supplier	-	Rochester Electronics, LLC,onsemi
Part Status	Active	Obsolete
IGBT Type	Field Stop	Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	600 V	650 V
Current - Collector(Ic)(Max)	80 A	80 A
Current - Collector Pulsed(Icm)	120 A	120 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic	2.9V @ 15V, 40A	2.3V @ 15V, 40A
Power - Max	290 W	268 W
Switching Energy	1.13mJ (on), 310µJ (off)	1.59mJ (on), 580µJ (off)
Input Type	Standard	Standard
Gate Charge	120 nC	177 nC
Td(on / off) @ 25°C	25ns/115ns	20ns/144ns
Test Condition	400V, 40A, 10Ohm, 15V	400V, 40A, 7Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)	45 ns	43 ns
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Through Hole

Compare RFQ