FGH40N60SMD vs FGH40N6S2

Это подробное сравнение FGH40N60SMD и FGH40N6S2 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FGH40N60SMD

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 1472 ПКС
Package: TO-247
Series: Транзисторы - ИГБТ - Single

+БОМ RFQ

Part B

FGH40N6S2

Онсеми

Lifecycle: Active
Stock: 6780 ПКС
Package: TO-247-3
Series: Транзисторы - ИГБТ - Single

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	FGH40N60SMD	FGH40N6S2
Supplier	-	onsemi
Part Status	Active	Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	600 V	600 V
Current - Collector(Ic)(Max)	80 A	75 A
Current - Collector Pulsed(Icm)	120 A	180 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic	2.5V @ 15V, 40A	2.7V @ 15V, 20A
Power - Max	349 W	290 W
Switching Energy	870µJ (on), 260µJ (off)	115µJ (on), 195µJ (off)
Input Type	Standard	Standard
Gate Charge	119 nC	35 nC
Td(on / off) @ 25°C	12ns/92ns	8ns/35ns
Test Condition	400V, 40A, 6Ohm, 15V	390V, 20A, 3Ohm, 15V
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Through Hole
IGBT Type	Field Stop	-
Reverse Recovery Time (trr)	36 ns	-

Compare RFQ