FGH40N60SMDF vs FGH40N65UFDTU

Это подробное сравнение FGH40N60SMDF и FGH40N65UFDTU предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FGH40N60SMDF

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
3198 ПКС
Package
TO-247
Series
Транзисторы - ИГБТ - Single
Part B

FGH40N65UFDTU

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
8917 ПКС
Package
TO-247-3
Series
Транзисторы - ИГБТ - Single

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification FGH40N60SMDF FGH40N65UFDTU
Supplier - Rochester Electronics, LLC,onsemi
Part Status Active Obsolete
IGBT Type Field Stop Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 600 V 650 V
Current - Collector(Ic)(Max) 80 A 80 A
Current - Collector Pulsed(Icm) 120 A 120 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 2.5V @ 15V, 40A 2.4V @ 15V, 40A
Power - Max 349 W 290 W
Switching Energy 1.3mJ (on), 260µJ (off) 1.19mJ (on), 460µJ (off)
Input Type Standard Standard
Gate Charge 119 nC 120 nC
Td(on / off) @ 25°C 12ns/92ns 24ns/112ns
Test Condition 400V, 40A, 6Ohm, 15V 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) 90 ns 45 ns
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole