FGH40T120SMD vs FGH40N6S2 Сравнение

Это подробное сравнение FGH40T120SMD и FGH40N6S2 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
FGH40T120SMD

+БОМ

2036 ПКС | Компания Fairchild Semiconductor
FGH40N6S2

+БОМ

6780 ПКС | Онсеми
Пакет TO-247 TO-247-3
Описание INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO IGBT 600V 75A 290W TO247
Supplier - onsemi
Part Status Active Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 1200 V 600 V
Current - Collector(Ic)(Max) 80 A 75 A
Current - Collector Pulsed(Icm) 160 A 180 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 2.4V @ 15V, 40A 2.7V @ 15V, 20A
Power - Max 555 W 290 W
Switching Energy 2.7mJ (on), 1.1mJ (off) 115µJ (on), 195µJ (off)
Input Type Standard Standard
Gate Charge 370 nC 35 nC
Td(on / off) @ 25°C 40ns/475ns 8ns/35ns
Test Condition 600V, 40A, 10Ohm, 15V 390V, 20A, 3Ohm, 15V
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
IGBT Type Trench Field Stop -
Reverse Recovery Time (trr) 65 ns -
Модель сравнения : FGH40T120SMD FGH40N6S2

+БОМ RFQ