FGH60N60SFDTU vs FGH60N6S2

Это подробное сравнение FGH60N60SFDTU и FGH60N6S2 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FGH60N60SFDTU

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
3091 ПКС
Package
TO-247AB-3
Series
Транзисторы - ИГБТ - Single
+БОМ RFQ
Part B

FGH60N6S2

Онсеми

Lifecycle
Active
Stock
9926 ПКС
Package
TO-247-3
Series
Транзисторы - ИГБТ - Single
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification FGH60N60SFDTU FGH60N6S2
Supplier - onsemi
Part Status Active Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 600 V 600 V
Current - Collector(Ic)(Max) 120 A 75 A
Current - Collector Pulsed(Icm) 180 A 320 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 2.9V @ 15V, 60A 2.5V @ 15V, 40A
Power - Max 378 W 625 W
Switching Energy 1.79mJ (on), 670µJ (off) 400µJ (on), 310µJ (off)
Input Type Standard Standard
Gate Charge 198 nC 140 nC
Td(on / off) @ 25°C 22ns/134ns 18ns/70ns
Test Condition 400V, 60A, 5Ohm, 15V 390V, 40A, 3Ohm, 15V
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
IGBT Type Field Stop -
Reverse Recovery Time (trr) 47 ns -
Compare RFQ