G5S12002C vs G5S12005D

Это подробное сравнение G5S12002C и G5S12005D предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

G5S12002C

Глобальная энергетическая технология Co. Ltd

Lifecycle
Active
Stock
2987 ПКС
Package
TO-252-3
Series
Диоды - Исправители - Single
+БОМ RFQ
Part B

G5S12005D

Глобальная энергетическая технология Co. Ltd

Lifecycle
Active
Stock
6990 ПКС
Package
TO-263-3
Series
Диоды - Исправители - Single
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification G5S12002C G5S12005D
Supplier Global Power Technology Co. Ltd Global Power Technology Co. Ltd
Part Status Active Active
Diode Type Silicon Carbide Schottky Silicon Carbide Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1200 V 1200 V
Current - Average Rectified(Io) 8.8A (DC) 21A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7 V @ 2 A 1.7 V @ 5 A
Speed No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns 0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr 50 µA @ 1200 V 50 µA @ 1200 V
Capacitance @ Vr F 170pF @ 0V, 1MHz 424pF @ 0V, 1MHz
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Compare RFQ