GD25LQ16CTIGR vs GD25LD80CTIG

Это подробное сравнение GD25LQ16CTIGR и GD25LD80CTIG предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

GD25LQ16CTIGR

Компания GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Lifecycle: Active
Stock: 5761 ПКС
Package: SOIC-8
Series: Память

+БОМ RFQ

Part B

GD25LD80CTIG

Компания GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Lifecycle: Active
Stock: 5727 ПКС
Package: SOIC-8
Series: Память

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	GD25LQ16CTIGR	GD25LD80CTIG
Part Status	Active	Active
Memory Type	Non-Volatile	Non-Volatile
Memory Format	FLASH	FLASH
Technology	FLASH - NOR	FLASH - NOR
Memory Size	16Mb (2M x 8)	8Mb (1M x 8)
Memory Interface	SPI - Quad I/O	SPI - Dual I/O
Clock Frequency	104 MHz	50 MHz
Write Cycle Time - Word Page	50µs, 2.4ms	60µs, 6ms
Voltage - Supply	1.65V ~ 2.1V	1.65V ~ 2V
Operating Temperature	-40°C ~ 85°C (TA)	-40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare RFQ