GD25Q32ETIGR vs GD25Q16CTIGR

Это подробное сравнение GD25Q32ETIGR и GD25Q16CTIGR предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

GD25Q32ETIGR

Компания GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Lifecycle
Active
Stock
2436 ПКС
Package
SOIC-8
Series
Память
+БОМ RFQ
Part B

GD25Q16CTIGR

Компания GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Lifecycle
Active
Stock
3985 ПКС
Package
SOIC-8
Series
Память
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification GD25Q32ETIGR GD25Q16CTIGR
Part Status Active Not For New Designs
Memory Type Non-Volatile Non-Volatile
Memory Format FLASH FLASH
Technology FLASH - NOR FLASH - NOR
Memory Size 32Mb (4M x 8) 16Mb (2M x 8)
Memory Interface SPI - Quad I/O SPI - Quad I/O
Clock Frequency 133 MHz 120 MHz
Write Cycle Time - Word Page 70µs, 2.4ms 50µs, 2.4ms
Access Time 7 ns -
Voltage - Supply 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Compare RFQ