GD25Q32CTIGR vs GD25Q127CSJGR

Это подробное сравнение GD25Q32CTIGR и GD25Q127CSJGR предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

GD25Q32CTIGR

Компания GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Lifecycle
Active
Stock
2025 ПКС
Package
SOIC-8
Series
Память
+БОМ RFQ
Part B

GD25Q127CSJGR

Компания GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Lifecycle
Active
Stock
9862 ПКС
Package
SOIC-8
Series
Память
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification GD25Q32CTIGR GD25Q127CSJGR
Part Status Not For New Designs Active
Memory Type Non-Volatile Non-Volatile
Memory Format FLASH FLASH
Technology FLASH - NOR FLASH - NOR
Memory Size 32Mb (4M x 8) 128Mb (16M x 8)
Memory Interface SPI - Quad I/O SPI - Quad I/O
Clock Frequency 120 MHz 104 MHz
Write Cycle Time - Word Page 50µs, 2.4ms 12µs, 2.4ms
Voltage - Supply 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 105°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Compare RFQ