GD25Q40CTIGR vs GD25Q32ETIGR Сравнение

Это подробное сравнение GD25Q32ETIGR и GD25Q40CTIGR предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
GD25Q32ETIGR

+БОМ

2436 ПКС | Компания GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q40CTIGR

+БОМ

7421 ПКС | Компания GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Пакет SOIC-8 SOIC-8
Описание 32MBIT NOR FLASH /3.3V /SOP8 150 IC FLASH 4MBIT SPI/QUAD I/O 8SOP
Part Status Active Not For New Designs
Memory Type Non-Volatile Non-Volatile
Memory Format FLASH FLASH
Technology FLASH - NOR FLASH - NOR
Memory Size 32Mb (4M x 8) 4Mb (512K x 8)
Memory Interface SPI - Quad I/O SPI - Quad I/O
Clock Frequency 133 MHz 104 MHz
Write Cycle Time - Word Page 70µs, 2.4ms 50µs, 2.4ms
Access Time 7 ns -
Voltage - Supply 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : GD25Q32ETIGR GD25Q40CTIGR

+БОМ RFQ