GD25Q80ESIGR vs GD25Q40CTIGR

Это подробное сравнение GD25Q80ESIGR и GD25Q40CTIGR предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

GD25Q80ESIGR

Компания GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Lifecycle
Active
Stock
6421 ПКС
Package
SOIC-8
Series
Память
+БОМ RFQ
Part B

GD25Q40CTIGR

Компания GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Lifecycle
Active
Stock
7421 ПКС
Package
SOIC-8
Series
Память
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification GD25Q80ESIGR GD25Q40CTIGR
Part Status Active Not For New Designs
Memory Type Non-Volatile Non-Volatile
Memory Format FLASH FLASH
Technology FLASH - NOR FLASH - NOR
Memory Size 8Mb (1M x 8) 4Mb (512K x 8)
Memory Interface SPI - Quad I/O SPI - Quad I/O
Clock Frequency 133 MHz 104 MHz
Write Cycle Time - Word Page 70µs, 2ms 50µs, 2.4ms
Access Time 7 ns -
Voltage - Supply 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Compare RFQ