HIP4081AIBZ vs HIP4080AIBZ Сравнение

Это подробное сравнение HIP4081AIBZ и HIP4080AIBZ предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
HIP4081AIBZ

+БОМ

5327 ПКС | компанией Renesas Electronics America Inc
HIP4080AIBZ

+БОМ

9238 ПКС | Интерсил
Пакет SOIC-20 SOIC-20
Описание IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 20SOIC FULL BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
Series - Bulk
Driven Configuration Half-Bridge Active
Channel Type Independent Half-Bridge
Number of Drivers 4 Synchronous
Gate Type N-Channel MOSFET 4
Voltage - Supply 9.5V ~ 15V N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VILVIH 1V, 2.5V 9.5V ~ 15V
Current - Peak Output(Source Sink) 2.6A, 2.4A 1V, 2.5V
Input Type Non-Inverting 2.6A, 2.4A
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 95 V Non-Inverting
Rise / Fall Time(Typ) 10ns, 10ns 95 V
Operating Temperature -40°C ~ 125°C (TJ) 10ns, 10ns
Mounting Type Surface Mount -40°C ~ 125°C (TJ)
Part Status Active -
Модель сравнения : HIP4081AIBZ HIP4080AIBZ

+БОМ RFQ