HIP4082IBZ vs HIP4080AIBT Сравнение

Это подробное сравнение HIP4082IBZ и HIP4080AIBT предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
HIP4082IBZ

+БОМ

4393 ПКС | компанией Renesas Electronics America Inc
HIP4080AIBT

+БОМ

6964 ПКС | компанией Renesas Electronics America Inc
Пакет SOIC-N-16 SOIC-20
Описание IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 20SOIC
Part Status Active Obsolete
Driven Configuration Half-Bridge Half-Bridge
Channel Type Independent Synchronous
Number of Drivers 4 4
Gate Type N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 8.5V ~ 15V 9.5V ~ 15V
Logic Voltage - VILVIH 1V, 2.5V 1V, 2.5V
Current - Peak Output(Source Sink) 1.4A, 1.3A 2.6A, 2.4A
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 95 V 95 V
Rise / Fall Time(Typ) 9ns, 9ns 10ns, 10ns
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : HIP4082IBZ HIP4080AIBT

+БОМ RFQ