IR1167ASTRPBF vs IR1166SPBF Сравнение

Это подробное сравнение IR1167ASTRPBF и IR1166SPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IR1167ASTRPBF

+БОМ

1280 ПКС | компанией Infineon Technologies
IR1166SPBF

+БОМ

6163 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет SOIC-8 SOIC-8
Описание IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Series SmartRectifier™ SmartRectifier™
Part Status Active Obsolete
Driven Configuration Low-Side Low-Side
Channel Type Single Single
Number of Drivers 1 1
Gate Type N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 12V ~ 18V 11.4V ~ 18V
Logic Voltage - VILVIH 2V, 2.15V 2V, 2.15V
Current - Peak Output(Source Sink) 2A, 7A 1A, 4A
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
Rise / Fall Time(Typ) 18ns, 10ns 21ns, 10ns
Operating Temperature -25°C ~ 125°C (TJ) -25°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : IR1167ASTRPBF IR1166SPBF

+БОМ RFQ