IR2104STRPBF vs IR21064STRPBF

Это подробное сравнение IR2104STRPBF и IR21064STRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IR2104STRPBF

+БОМ

6506 ПКС | компанией Infineon Technologies
IR21064STRPBF

+БОМ

9824 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет SOIC-8 SOIC-14
Описание IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 14SOIC
ProductStatus Active Active
DrivenConfiguration Half-Bridge High-Side or Low-Side
ChannelType Synchronous Independent
NumberofDrivers 2 2
GateType IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage-Supply 10V ~ 20V 10V ~ 20V
LogicVoltage-VILVIH 0.8V, 3V 0.8V, 2.9V
Current-PeakOutput(SourceSink) 210mA, 360mA 200mA, 350mA
InputType Non-Inverting Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 600 V 600 V
Rise/FallTime(Typ) 100ns, 50ns 150ns, 50ns
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : IR2104STRPBF IR21064STRPBF

+БОМ RFQ