IR2110 vs IR2113-1 Сравнение

Это подробное сравнение IR2110 и IR2113-1 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IR2110

+БОМ

7686 ПКС | компанией Infineon Technologies
IR2113-1

+БОМ

2095 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет DIP-14 DIP-14
Описание IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP
Part Status Obsolete Obsolete
Driven Configuration Half-Bridge Half-Bridge
Channel Type Independent Independent
Number of Drivers 2 2
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 3.3V ~ 20V 3.3V ~ 20V
Logic Voltage - VILVIH 6V, 9.5V 6V, 9.5V
Current - Peak Output(Source Sink) 2A, 2A 2A, 2A
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 500 V 600 V
Rise / Fall Time(Typ) 25ns, 17ns 25ns, 17ns
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Модель сравнения : IR2110 IR2113-1

+БОМ RFQ