IR2110PBF vs IR2110-2 Сравнение

Это подробное сравнение IR2110PBF и IR2110-2 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IR2110PBF

+БОМ

2445 ПКС | компанией Infineon Technologies
IR2110-2

+БОМ

4816 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет DIP-14 DIP-16
Описание IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16DIP
Part Status Active Obsolete
Driven Configuration Half-Bridge Half-Bridge
Channel Type Independent Independent
Number of Drivers 2 2
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 3.3V ~ 20V 3.3V ~ 20V
Logic Voltage - VILVIH 6V, 9.5V 6V, 9.5V
Current - Peak Output(Source Sink) 2A, 2A 2A, 2A
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 500 V 500 V
Rise / Fall Time(Typ) 25ns, 17ns 25ns, 17ns
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Модель сравнения : IR2110PBF IR2110-2

+БОМ RFQ