IR2110SPBF vs IR2111STR Сравнение

Это подробное сравнение IR2110SPBF и IR2111STR предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IR2110SPBF

+БОМ

7475 ПКС | компанией Infineon Technologies
IR2111STR

+БОМ

8416 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет SOIC 16W SOIC-8
Описание IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Part Status Active Obsolete
Driven Configuration Half-Bridge Half-Bridge
Channel Type Independent Synchronous
Number of Drivers 2 2
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 3.3V ~ 20V 10V ~ 20V
Logic Voltage - VILVIH 6V, 9.5V 8.3V, 12.6V
Current - Peak Output(Source Sink) 2A, 2A 250mA, 500mA
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 500 V 600 V
Rise / Fall Time(Typ) 25ns, 17ns 80ns, 40ns
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : IR2110SPBF IR2111STR

+БОМ RFQ