IR2112S vs IR2112STR

Это подробное сравнение IR2112S и IR2112STR предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IR2112S

компанией Infineon Technologies

Lifecycle
Active
Stock
4810 ПКС
Series
Управление энергией (PMIC) - драйверы ворот
+БОМ RFQ
Part B

IR2112STR

компанией Infineon Technologies

Lifecycle
Active
Stock
8698 ПКС
Package
SOIC-W-16
Series
PMIC - Драйверы ворот
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification IR2112S IR2112STR
Part Status Obsolete Obsolete
Driven Configuration High-Side, Low-Side High-Side or Low-Side
Channel Type Independent Independent
Number of Drivers 2 2
Gate Type IGBT, MOSFET (N-Channel) IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Logic Voltage - VILVIH - 6V, 9.5V
Current - Peak Output(Source Sink) - 250mA, 500mA
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) - 600 V
Rise / Fall Time(Typ) - 80ns, 40ns
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Base Product Number IR2112 -
Digi Key Programmable Not Verified -
Logic Voltage - VIL, VIH 6V, 9.5V -
Current - Peak Output (Source, Sink) 250mA, 500mA -
High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600 V -
Rise / Fall Time (Typ) 80ns, 40ns -
Packaging Tube -
Compare RFQ