IR2112STRPBF vs IR2113SPBF

Это подробное сравнение IR2112STRPBF и IR2113SPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IR2112STRPBF

+БОМ

3055 ПКС | компанией Infineon Technologies
IR2113SPBF

+БОМ

3933 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет SOIC 16W 16-SOIC
Описание IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
ProductStatus Active Active
DrivenConfiguration High-Side or Low-Side Half-Bridge
ChannelType Independent Independent
NumberofDrivers 2 2
GateType IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage-Supply 10V ~ 20V 3.3V ~ 20V
LogicVoltage-VILVIH 6V, 9.5V 6V, 9.5V
Current-PeakOutput(SourceSink) 250mA, 500mA 2A, 2A
InputType Non-Inverting Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 600 V 600 V
Rise/FallTime(Typ) 80ns, 40ns 25ns, 17ns
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : IR2112STRPBF IR2113SPBF

+БОМ RFQ