IR2112STRPBF vs IR2117STRPBF
Это подробное сравнение IR2117STRPBF и IR2112STRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
Пакет
SOIC 8N
SOIC 16W
Описание
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC
ProductStatus
Active
Active
DrivenConfiguration
High-Side
High-Side or Low-Side
ChannelType
Single
Independent
NumberofDrivers
1
2
GateType
IGBT, N-Channel MOSFET
IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage-Supply
10V ~ 20V
10V ~ 20V
LogicVoltage-VILVIH
6V, 9.5V
6V, 9.5V
Current-PeakOutput(SourceSink)
250mA, 500mA
250mA, 500mA
InputType
Non-Inverting
Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap)
600 V
600 V
Rise/FallTime(Typ)
80ns, 40ns
80ns, 40ns
OperatingTemperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
-40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
