IR2110S vs IR2117STRPBF

Это подробное сравнение IR2110S и IR2117STRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

ISO9001 Quality Control ISO45001 ISO14001 100% Genuine
Part A

IR2110S

компанией Infineon Technologies

Lifecycle
Active
Stock
5478 ПКС
Series
Управление энергией (PMIC) - драйверы ворот
+БОМ RFQ
Part B

IR2117STRPBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle
Active
Stock
1294 ПКС
Package
SOIC 8N
Series
PMIC - Драйверы ворот
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification IR2110S IR2117STRPBF
Part Status Obsolete Active
Base Product Number IR2110 -
Digi Key Programmable Not Verified -
Driven Configuration Half-Bridge High-Side
Channel Type Independent Single
Number of Drivers 2 1
Gate Type IGBT, MOSFET (N-Channel) IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 3.3V ~ 20V 10V ~ 20V
Logic Voltage - VIL, VIH 6V, 9.5V -
Current - Peak Output (Source, Sink) 2A, 2A -
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap) 500 V -
Rise / Fall Time (Typ) 25ns, 17ns -
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Packaging Tube -
Logic Voltage - VILVIH - 6V, 9.5V
Current - Peak Output(Source Sink) - 250mA, 500mA
High Side Voltage - Max(Bootstrap) - 600 V
Rise / Fall Time(Typ) - 80ns, 40ns
Compare RFQ