IR21271 vs IR2125

Это подробное сравнение IR21271 и IR2125 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IR21271

+БОМ

4271 ПКС | компанией Infineon Technologies
IR2125

+БОМ

2547 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет 8-DIP 8-DIP
Описание IC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8DIP IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIP
ProductStatus Obsolete Obsolete
DrivenConfiguration High-Side or Low-Side High-Side
ChannelType Single Single
NumberofDrivers 1 1
GateType IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage-Supply 9V ~ 20V 0V ~ 18V
LogicVoltage-VILVIH 0.8V, 3V 0.8V, 2.2V
Current-PeakOutput(SourceSink) 250mA, 500mA 1.6A, 3.3A
InputType Non-Inverting Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 600 V 500 V
Rise/FallTime(Typ) 80ns, 40ns 43ns, 26ns
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole
Модель сравнения : IR21271 IR2125

+БОМ RFQ

Другие сравнения