IR2130S vs IR2130SPBF Сравнение

Это подробное сравнение IR2130S и IR2130SPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IR2130S

+БОМ

1260 ПКС | компанией Infineon Technologies
IR2130SPBF

+БОМ

7032 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет SOIC-28
Описание IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC
Part Status Obsolete Not For New Designs
Digi Key Programmable - Not Verified
Driven Configuration Half-Bridge Half-Bridge
Channel Type 3-Phase 3-Phase
Number of Drivers 6 6
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, MOSFET (N-Channel)
Voltage - Supply 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Logic Voltage - VIL, VIH - 0.8V, 2.2V
Current - Peak Output (Source, Sink) - 250mA, 500mA
Input Type Inverting Inverting
Rise / Fall Time (Typ) - 80ns, 35ns
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Base Product Number - IR2130
High Side Voltage - Max (Bootstrap) - 600 V
Logic Voltage - VILVIH 0.8V, 2.2V -
Current - Peak Output(Source Sink) 250mA, 500mA -
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 600 V -
Rise / Fall Time(Typ) 80ns, 35ns -
Модель сравнения : IR2130S IR2130SPBF

+БОМ RFQ