IR2136S vs IR2130S

Это подробное сравнение IR2136S и IR2130S предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IR2136S

+БОМ

2739 ПКС | компанией Infineon Technologies
IR2130S

+БОМ

1260 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет SOIC-28 SOIC-28
Описание IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC
ProductStatus Obsolete Obsolete
DrivenConfiguration Half-Bridge Half-Bridge
ChannelType 3-Phase 3-Phase
NumberofDrivers 6 6
GateType IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage-Supply 10V ~ 20V 10V ~ 20V
LogicVoltage-VILVIH 0.8V, 3V 0.8V, 2.2V
Current-PeakOutput(SourceSink) 200mA, 350mA 250mA, 500mA
InputType Inverting Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 600 V 600 V
Rise/FallTime(Typ) 125ns, 50ns 80ns, 35ns
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : IR2136S IR2130S

+БОМ RFQ