IR2153STRPBF vs IR2151STR

Это подробное сравнение IR2153STRPBF и IR2151STR предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IR2153STRPBF

+БОМ

7562 ПКС | компанией Infineon Technologies
IR2151STR

+БОМ

9028 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет SOIC 8N SOIC-8
Описание IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
ProductStatus Not For New Designs Obsolete
DrivenConfiguration Half-Bridge Half-Bridge
ChannelType Synchronous Synchronous
NumberofDrivers 2 2
GateType N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage-Supply 10V ~ 15.6V 10V ~ 20V
Current-PeakOutput(SourceSink) - 125mA, 250mA
InputType RC Input Circuit RC Input Circuit
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 600 V 600 V
Rise/FallTime(Typ) 80ns, 45ns 80ns, 40ns
OperatingTemperature -40°C ~ 125°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : IR2153STRPBF IR2151STR

+БОМ RFQ