IR2181S vs IR21814S Сравнение

Это подробное сравнение IR2181S и IR21814S предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IR2181S

+БОМ

1699 ПКС | компанией Infineon Technologies
IR21814S

+БОМ

3670 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет SOIC-8 SOIC-14
Описание IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC
Part Status Obsolete Obsolete
Driven Configuration Half-Bridge Half-Bridge
Channel Type Independent Independent
Number of Drivers 2 2
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Logic Voltage - VILVIH 0.8V, 2.7V 0.8V, 2.7V
Current - Peak Output(Source Sink) 1.9A, 2.3A 1.9A, 2.3A
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 600 V 600 V
Rise / Fall Time(Typ) 40ns, 20ns 40ns, 20ns
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : IR2181S IR21814S

+БОМ RFQ