IR2183STRPBF vs IR21814STRPBF

Это подробное сравнение IR2183STRPBF и IR21814STRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IR2183STRPBF

+БОМ

6670 ПКС | компанией Infineon Technologies
IR21814STRPBF

+БОМ

2959 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет SOIC-8
Описание IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC
Part Status - Active
DigiKey Programmable - Not Verified
Driven Configuration - Half-Bridge
Channel Type - Independent
Number of Drivers - 2
Gate Type - IGBT, MOSFET (N-Channel)
Voltage - Supply - 10V ~ 20V
Logic Voltage - VIL, VIH - 0.8V, 2.7V
Current - Peak Output (Source, Sink) - 1.9A, 2.3A
Input Type - Non-Inverting
Rise / Fall Time (Typ) - 40ns, 20ns
Operating Temperature - -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type - Surface Mount
Base Product Number - IR21814
High Side Voltage - Max (Bootstrap) - 600 V
ProductStatus Active -
DrivenConfiguration Half-Bridge -
ChannelType Independent -
NumberofDrivers 2 -
GateType IGBT, N-Channel MOSFET -
Voltage-Supply 10V ~ 20V -
LogicVoltage-VILVIH 0.8V, 2.7V -
Current-PeakOutput(SourceSink) 1.9A, 2.3A -
InputType Inverting, Non-Inverting -
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 600 V -
Rise/FallTime(Typ) 40ns, 20ns -
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ) -
MountingType Surface Mount -
Модель сравнения : IR2183STRPBF IR21814STRPBF

+БОМ RFQ