IR2301STRPBF vs IR2301STR

Это подробное сравнение IR2301STRPBF и IR2301STR предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IR2301STRPBF

+БОМ

6145 ПКС | компанией Infineon Technologies
IR2301STR

+БОМ

2172 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет SOIC-8 SOIC-8
Описание IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
ProductStatus Active Obsolete
DrivenConfiguration High-Side or Low-Side High-Side or Low-Side
ChannelType Independent Independent
NumberofDrivers 2 2
GateType IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage-Supply 5V ~ 20V 5V ~ 20V
LogicVoltage-VILVIH 0.8V, 2.9V 0.8V, 2.9V
Current-PeakOutput(SourceSink) 200mA, 350mA 200mA, 350mA
InputType Non-Inverting Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 600 V 600 V
Rise/FallTime(Typ) 130ns, 50ns 130ns, 50ns
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : IR2301STRPBF IR2301STR

+БОМ RFQ