IRF1404PBF vs IRF1407PBF

Это подробное сравнение IRF1407PBF и IRF1404PBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IRF1407PBF

+БОМ

3570 ПКС | компанией Infineon Technologies
IRF1404PBF

+БОМ

2816 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет TO-220-3 TO220
Описание MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB MOSFET N-CH 40V 202A TO220AB
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Not For New Designs Active
FETType N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 75 V 40 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 130A (Tc) 202A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 7.8mOhm @ 78A, 10V 4mOhm @ 121A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 250 nC @ 10 V 196 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 5600 pF @ 25 V 5669 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 330W (Tc) 333W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole
Модель сравнения : IRF1407PBF IRF1404PBF

+БОМ RFQ