IRF4905SPBF vs IRF4905STRRPBF

Это подробное сравнение IRF4905SPBF и IRF4905STRRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF4905SPBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle
Active
Stock
3886 ПКС
Package
TO-252
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные
+БОМ RFQ
Part B

IRF4905STRRPBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle
Active
Stock
6200 ПКС
Package
TO-263-3
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification IRF4905SPBF IRF4905STRRPBF
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Obsolete Not For New Designs
FET Type P-Channel P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V 55 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 42A (Tc) 42A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 20mOhm @ 42A, 10V 20mOhm @ 42A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 3500 pF @ 25 V 3500 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 170W (Tc) 170W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Compare RFQ