IRF530NSTRLPBF vs IRF530NPBF

Это подробное сравнение IRF530NSTRLPBF и IRF530NPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF530NSTRLPBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle: Active
Stock: 1441 ПКС
Package: TO-263-3
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

+БОМ RFQ

Part B

IRF530NPBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle: Active
Stock: 7755 ПКС
Package: TO-220
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	IRF530NSTRLPBF	IRF530NPBF
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V	100 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	17A (Tc)	17A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	10V	10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	90mOhm @ 9A, 10V	90mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	4V @ 250µA	4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	37 nC @ 10 V	37 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±20V	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	920 pF @ 25 V	920 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)	3.8W (Ta), 70W (Tc)	70W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Through Hole

Compare RFQ