IRF640NSTRLPBF vs IRF640
Это подробное сравнение IRF640 и IRF640NSTRLPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
Пакет
TO-220-3
TO-263-3
Описание
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
HEXFET POWER MOSFET
Series
MESH OVERLAY™
HEXFET®
ProductStatus
Obsolete
Active
FETType
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
200 V
200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
18A (Tc)
18A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
10V
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
180mOhm @ 9A, 10V
150mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
4V @ 250µA
4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
72 nC @ 10 V
67 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
1560 pF @ 25 V
1160 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max)
125W (Tc)
150W (Tc)
OperatingTemperature
150°C (TJ)
-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType
Through Hole
Surface Mount
