IRF7204TRPBF vs IRF7201TRPBF
Это подробное сравнение IRF7201TRPBF и IRF7204TRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
Пакет
SOIC-8
Описание
MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO
MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SO
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Obsolete
-
Base Product Number
IRF7201
-
FET Type
N-Channel
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
7.3A (Tc)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 7.3A, 10V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 10 V
-
Vgs (Max)
±20V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
550 pF @ 25 V
-
Power Dissipation (Max)
2.5W (Tc)
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Mounting Type
Surface Mount
-
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-
ProductStatus
-
Last Time Buy
FETType
-
P-Channel
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
20 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
5.3A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
-
4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs
-
60mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
-
2.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
25 nC @ 10 V
Vgs(Max)
-
±12V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
860 pF @ 10 V
PowerDissipation(Max)
-
2.5W (Tc)
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
