IRF7303TRPBF vs IRF7341TRPBF Сравнение

Это подробное сравнение IRF7341TRPBF и IRF7303TRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IRF7341TRPBF

+БОМ

4836 ПКС | компанией Infineon Technologies
IRF7303TRPBF

+БОМ

5181 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет SO-8 SO-8
Описание MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Active
FET Type 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V 30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 4.7A 4.9A
Rds On(Max) @ Id Vgs 50mOhm @ 4.7A, 10V 50mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 36nC @ 10V 25nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 740pF @ 25V 520pF @ 25V
Power - Max 2W 2W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : IRF7341TRPBF IRF7303TRPBF

+БОМ RFQ