IRF7304TRPBF vs IRF7317PBF Сравнение

Это подробное сравнение IRF7304TRPBF и IRF7317PBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IRF7304TRPBF

+БОМ

6900 ПКС | компанией Infineon Technologies
IRF7317PBF

+БОМ

5507 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет SOIC-8 SOIC-8
Описание MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
Supplier - Rochester Electronics, LLC,Infineon Technologies
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Last Time Buy Discontinued at Digi-Key
FET Type 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V 20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 4.3A 6.6A, 5.3A
Rds On(Max) @ Id Vgs 90mOhm @ 2.2A, 4.5V 29mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 700mV @ 250µA 700mV @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 22nC @ 4.5V 27nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 610pF @ 15V 900pF @ 15V
Power - Max 2W 2W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : IRF7304TRPBF IRF7317PBF

+БОМ RFQ