IRF7306TRPBF vs IRF7306PBF

Это подробное сравнение IRF7306TRPBF и IRF7306PBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF7306TRPBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle
Active
Stock
9061 ПКС
Package
SOIC-8
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
+БОМ RFQ
Part B

IRF7306PBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle
Active
Stock
7981 ПКС
Package
SOIC-8
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification IRF7306TRPBF IRF7306PBF
Supplier Infineon Technologies Infineon Technologies
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Discontinued at Digi-Key
FET Type 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 3.6A 3.6A
Rds On(Max) @ Id Vgs 100mOhm @ 1.8A, 10V 100mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 25nC @ 10V 25nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 440pF @ 25V 440pF @ 25V
Power - Max 2W 2W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Compare RFQ