IRF7307TRPBF vs IRF7303PBF

Это подробное сравнение IRF7307TRPBF и IRF7303PBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF7307TRPBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle: Active
Stock: 3667 ПКС
Package: SOIC-8
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы

+БОМ RFQ

Part B

IRF7303PBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle: Active
Stock: 3102 ПКС
Package: SOIC-8
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	IRF7307TRPBF	IRF7303PBF
Supplier	-	Infineon Technologies
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Last Time Buy	Discontinued at Digi-Key
FET Type	N and P-Channel	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V	30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	5.2A, 4.3A	4.9A
Rds On(Max) @ Id Vgs	50mOhm @ 2.6A, 4.5V	50mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	700mV @ 250µA	1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	20nC @ 4.5V	25nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	660pF @ 15V	520pF @ 25V
Power - Max	2W	2W
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare RFQ