IRF7309TRPBF vs IRF7306TR

Это подробное сравнение IRF7309TRPBF и IRF7306TR предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IRF7309TRPBF

+БОМ

5390 ПКС | компанией Infineon Technologies
IRF7306TR

+БОМ

9561 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет SOIC-8 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Описание MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC
Supplier - Infineon Technologies
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Active Obsolete
FETType N and P-Channel 2 P-Channel (Dual)
FETFeature Standard Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30V 30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 4A, 3A 3.6A
RdsOn(Max)@IdVgs 50mOhm @ 2.4A, 10V 100mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 25nC @ 4.5V 25nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 520pF @ 15V 440pF @ 25V
Power-Max 1.4W 2W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : IRF7309TRPBF IRF7306TR

+БОМ RFQ