IRF7313TRPBF vs IRF7331PBF

Это подробное сравнение IRF7313TRPBF и IRF7331PBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IRF7313TRPBF

+БОМ

4931 ПКС | компанией Infineon Technologies
IRF7331PBF

+БОМ

4374 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет SOIC-8 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Описание MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC
Supplier - Infineon Technologies
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Active Discontinued at Digi-Key
FETType 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FETFeature Standard Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30V 20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 6.5A 7A
RdsOn(Max)@IdVgs 29mOhm @ 5.8A, 10V 30mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 1V @ 250µA 1.2V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 33nC @ 10V 20nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 650pF @ 25V 1340pF @ 16V
Power-Max 2W 2W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : IRF7313TRPBF IRF7331PBF

+БОМ RFQ