IRF7313TRPBF vs IRF7342QTRPBF

Это подробное сравнение IRF7313TRPBF и IRF7342QTRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IRF7313TRPBF

+БОМ

4931 ПКС | компанией Infineon Technologies
IRF7342QTRPBF

+БОМ

2105 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет SOIC-8 SOIC-8
Описание MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC
Supplier - Infineon Technologies
ProductStatus Active Obsolete
FETType 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
FETFeature Standard Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30V 55V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 6.5A 3.4A
RdsOn(Max)@IdVgs 29mOhm @ 5.8A, 10V 105mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 33nC @ 10V 38nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 650pF @ 25V 690pF @ 25V
Power-Max 2W 2W
MountingType Surface Mount Surface Mount
Series HEXFET® -
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Модель сравнения : IRF7313TRPBF IRF7342QTRPBF

+БОМ RFQ